| автор: | Park K. H. Park C. S. Jang D. H. Lee J. K. Cho H. S. Pyun K. E. Jeong J. |
| источник: | IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS |
| заглавие: | Improvement of catastrophic optical damage (COD) level for high-power 0.98-mu m GaInAs-GaInP laser diodes using impurity induced layer disordering |
| год издания: | 1998 |
| том: | 10 |
| выпуск: | 9 |
| страницы: | 1226-1228 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1109/68.705598 |
| рубрика: | FO4.2.3 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2011-12-05 14:30:03 |
Вы не можете изменять эту запись.