| автор: | Zhang Z. G. Zhang X. P. Zhang P. Song Y. R. Tian J. R. |
| источник: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| заглавие: | Gain characteristics of the InGaAs strained quantum wells with GaAs, AlGaAs, and GaAsP barriers in vertical-external-cavity surface-emitting lasers |
| год издания: | 2009 |
| том: | 105 |
| выпуск: | 5 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1063/1.3081974 |
| рубрика: | FO4.2.3 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-27 16:47:15 |
Вы не можете изменять эту запись.