| автор: | Asano H. Ohgoh T. Mukai A. Yaguchi J. |
| источник: | APPLIED PHYSICS EXPRESS |
| заглавие: | Demonstration of 1.0 mu m InGaAs High-Power and Broad Spectral Bandwidth Superluminescent Diodes by Using Dual Quantum Well Structure |
| год издания: | 2013 |
| том: | 6 |
| выпуск: | 1 |
| страницы: | 014101 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.014101 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.