| автор: | Nodjiadjim V. Dupuy J. Y. Godin J. Riet M. Berdaguer P. Cros-Chahrour S. Gentner J. L. Saturnin B. |
| источник: | 2012 INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS (IPRM) |
| заглавие: | InP/GaInAs DHBT with TiW emitter demonstrating f(T)/f(max) similar to 340/400GHz for 100 Gb/s circuit applications |
| год издания: | 2013 |
| страницы: | 192-195 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.