| автор: | Turner G. W. Connors M. K. Plant J. J. Ray K. G. |
| источник: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B |
| заглавие: | Chamber conditioning process development for improved inductively coupled plasma reactive ion etching of GaAs/AlGaAs materials |
| год издания: | 2013 |
| том: | 31 |
| выпуск: | 2 |
| страницы: | 021207 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1116/1.4792839 |
| рубрика: | FO4.2.4, FO7.1.7 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:48:36 |
Вы не можете изменять эту запись.