| автор: | Wohlmuth W. A. Davenport B. Bowman T. Hamilton P. Hallgren R. Pool F. S. Turudic A. |
| источник: | SOLID-STATE ELECTRONICS |
| заглавие: | High performance GaAs MESFETs with molecular implanted and optimized lowly-doped drain structure for maximized speed, gain and breakdown performance |
| год издания: | 2005 |
| том: | 49 |
| выпуск: | 12 |
| страницы: | 1978-1985 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2005.09.001 |
| рубрика: | FO4.2.1 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2011-12-05 14:30:03 |
Вы не можете изменять эту запись.