| автор: | Meneghesso G. Meneghini M. Stocco A. Bisi D. de Santi C. Rossetto I. Zanandrea A. Rampazzo F. Zanoni E. |
| источник: | MICROELECTRONIC ENGINEERING |
| заглавие: | Degradation of AlGaN/GaN HEMT devices: Role of reverse-bias and hot electron stress |
| год издания: | 2013 |
| том: | 109 |
| страницы: | 257-261 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2013.03.017 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.