| автор: | Misiewicz J. Eisenstein G. Gilfert C. Gready D. Reithmaier J. P. Musial A. Marynski A. Andrzejewski J. Sek G. Capua A. Karni O. Atiya G. Kaplan W. D. Koelling S. |
| источник: | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| заглавие: | Electronic structure, morphology and emission polarization of enhanced symmetry InAs quantum-dot-like structures grown on InP substrates by molecular beam epitaxy |
| год издания: | 2013 |
| том: | 114 |
| выпуск: | 9 |
| страницы: | 094306 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1063/1.4820517 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.