| автор: | Topic M. Pirc M. |
| источник: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| заглавие: | Electroabsorption Modeling in Hydrogenated Amorphous Silicon |
| год издания: | 2013 |
| том: | 60 |
| выпуск: | 12 |
| страницы: | 3973-3978 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2013.2283734 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.