| автор: | Turner G. W. Connors M. K. Missaggia L. J. Spencer W. S. |
| источник: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B |
| заглавие: | Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaAs wafer pieces with enhanced device yield |
| год издания: | 2014 |
| том: | 32 |
| выпуск: | 2 |
| страницы: | 021207 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1116/1.4867356 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.