| автор: | Park S. Tao L. Rahimi S. Chowdhury S. F. Jouvray A. Buttress S. Rupesinghe N. Teo K. Akinwande D. |
| источник: | ACS NANO |
| заглавие: | Toward 300 mm Wafer-Scalable High-Performance Polycrystalline Chemical Vapor Deposited Graphene Transistors |
| год издания: | 2014 |
| том: | 8 |
| выпуск: | 10 |
| страницы: | 10471-10479 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1021/nn5038493 |
| рубрика: | FO4.2.4 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.