| автор: | |
| источник: | |
| заглавие: | New approach for high peak power lasing based on epitaxially-integrated AlGaAs/GaAs laser-thyristor heterostructure |
| год издания: | 2015 |
| том: | 9382 |
| страницы: | 93821J |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1117/12.2075714 |
| рубрика: | FO4.2.3 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2019-11-28 00:20:53 |
Вы не можете изменять эту запись.