| автор: | GOODHUE W. D. LE H. Q. |
| источник: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B |
| заглавие: | MOLECULAR-BEAM EPITAXY GROWTH OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE OPTICAL CONVERTER LASERS USING THE INGAAS/ALGAAS MATERIALS SYSTEM |
| год издания: | 1993 |
| том: | 11 |
| выпуск: | 3 |
| страницы: | 948-951 |
| ссылка на полный текст: | http://dx.doi.org/10.1116/1.586748 |
| рубрика: | FO4.2.3 |
| Автор записи: | admin |
| Дата/время последнего изменения: | 2011-12-05 14:30:03 |
Вы не можете изменять эту запись.